S-Litho是用于用于预测光刻仿真的解决方案,S-Litho提供了所有必要的建模功能,使工程师能够对光刻工艺和策略的性能进行精确可靠的预测。S-Litho的各个模块解决了所有相关领域的挑战。可以对复杂的集成技术(如双图案化)进行无缝建模。S-Litho 和 Synopsys Proteus 掩模合成应用之间的联系加速了光学接近校正 (OPC) 模型的生成和验证,并提高了工艺稳健性。减少对昂贵实验的投入,涵盖顶级的性能,具有高预测性和高效的 DP 扩展的优势!降低开发成本,提高用户技能水平。
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软件特色
1、多种光刻技术:感应印刷、电子束直接写入、DUV 投影光刻
2、三维 (3D) 光刻胶建模
3、光刻胶模型校准环境
4、通过脚本进行强大的定制
5、链接到 Synopsys 的 Proteus 和 TCAD 解决方案
6、建模参考,消除昂贵的实验。
7、顶级性能,高预测性和高效的 DP 扩展。
8、技术覆盖,从近距离打印到高数值孔径 EUV Litho。
软件功能
1、S-Litho优势
•预测工艺变化对光刻性能的影响,而无需进行昂贵的实验
•解决复杂的工艺集成技术,如多重图案化,缩短工艺开发时间
•在光刻设备准备就绪之前,支持当前和未来技术节点的光刻策略路径查找
•尽早开发用于校正和验证的掩模合成解决方案,缩短周期时间,加快产量增长,从而缩短上市时间
2、S-Litho介绍和关键功能
S-Litho提供了一套全面的特征集,利用计算光刻的预测能力,经济高效地探索复杂的技术选择。所有功能都嵌入在直观的图形用户界面中(图1),使工程师能够轻松浏览各种光刻模拟功能。S-Litho支持最先进工艺技术的仿真设置和分析功能:
•通过表征最相关曝光工具属性的参数来模拟真实的模拟条件
•通过导入任意布局片段和创建可编程、参数化的测试模式,具有高度的灵活性
•通过多维参数分析、过程窗口评估和优化进行强大的评估
•通过物理模型在集成校准环境中构建精确的3D抗蚀剂轮廓表示
3、DUV(光学)光刻模拟
在当今的IC制造中,DUV(即光学)光刻工艺是大批量生产中关键层最常用的图案化技术步骤。S-Litho能够模拟影响曝光工具/抗蚀剂处理系统光刻性能的所有相关效应:
•从i线宽带曝光到ArF浸没投影光刻
•全面的掩模处理,包括掩模形貌引起的透射和相位效应
•精确处理预图案化晶片,例如植入层(图2)或晶片对准标记
•先进的抗蚀剂处理,包括负色调显影(NTD)、抗蚀剂收缩和显影后烘烤步骤(回流)
4、近距离印刷——光刻模拟
在微机电系统(MEMS)或现代平板显示器(FPD)的制造过程中,经典的邻近印刷技术用于光刻图案化。随着曝光工具的分辨率接近极限,模拟对于工艺优化变得至关重要。模拟引擎已经过调整,可以有效地解决邻近打印的特定参数,如间隙大小。不同的图案化技术,如灰度光刻,和抗蚀剂处理步骤,如抗蚀剂回流,可用于设计3D抗蚀剂轮廓目标形状。
5、EUV光刻模拟
EUV光刻技术已被引入大批量生产,用于在N7技术节点打印最关键的特征。必须理解并准确量化由图像和抗蚀剂图案形成过程的EUV特定特性引起的影响。仿真使复杂的灵敏度研究能够评估适当的补偿策略,验证紧凑的模型并开发OPC解决方案。
EUV光刻专用模拟功能包括:
•反射EUV掩模的非远心照明,包括形貌效应、图案偏移、阴影等。
•多层缺陷的印刷性评估
•通过狭缝像差和光源特性
•纳米缺陷的随机建模、线边缘粗糙度(LER)表征和预测(图3)
•先进的EUV抗蚀剂工艺和基于金属氧化物簇的抗蚀剂等新型材料
•覆盖高NA投影和变形成像,解决下一代EUV光刻挑战
6、电子束光刻模拟
传统上,电子束光刻用于定义光掩模上吸收层内的图案。此外,它可以应用于在基板上直接写入特定于器件的结构(无掩模光刻),在器件原型制作过程中为DUV/EUV光刻提供了一种替代方案。S-Litho解决了电子束辅助图案化、掩模写入以及晶片直接写入的使用模型。
模拟基于潜在非均匀基底中电子散射的特性。详细了解掩模吸收器图案化过程以及由此产生的掩模特性,如拐角圆角和滑动壁角度,对于创建部署在全芯片光学邻近校正(OPC)和验证中的模型至关重要。
7、自动化和并行化
S-Litho提供了许多预定义的分析功能,并支持对任何给定参数空间进行灵活的多维参数探索。最先进的多核处理器或计算集群可用于并行计算,并在不牺牲精度的情况下显著减少仿真时间。内置的应用程序编程接口(API)允许用户自定义和执行复杂的模拟任务,并将S-Litho集成到应用程序流中。S-Litho支架:
•在Linux®和Microsoft®Windows操作系统上使用多线程或分布式处理进行并行计算
•广泛支持脚本编写,包括Python™、MathWorks®MATLAB®和Tcl/Tk
这些功能正被用于将S-Litho与其他Synopsys工具对接:
•与Sentaurus TCAD工具的接口,实现设备技术协同优化(DTCO)流程——Process Explorer用于设置基板形貌和多图案场景——Sentaurus形貌用于物理蚀刻模拟,实现热点的3D光刻/蚀刻分析
•与Proteus掩模合成工具的接口,实现以布局为中心的模拟、严格的校正和验证
8、S-Litho/Proteus接口:布局环境、严格的验证和校正流程
S-Litho为Synopsys的布局编辑器Proteus WorkBench(PWB)提供了一个无缝接口,这是一个用于OPC开发和优化的驾驶舱工具。该界面使用户能够直接从全芯片布局环境中访问S-Litho模拟结果,如抗蚀剂轮廓或3D轮廓。结果与布局信息一起可视化,而复杂的模拟设置则隐藏在背景中。
S-Litho/Proteus界面允许用户在Proteus掩模合成应用程序中轻松切换快速紧凑模型和预测严格模型。在验证流程中,S-Litho的集成实现了对检测到的热点的无缝和自动验证,使用预测性严格模型来分析各种工艺条件或3D抗蚀剂轮廓行为(图4,左)。紧凑而严谨的模型结果存储在一个公共数据库中,可以独立评估,这大大缩短了热点审查过程中的工程时间。
将S-Litho与Proteus OPC或Proteus ILT等布局校正工具相结合,有助于OPC解决方案的早期开发,因为早在紧凑型模型可用之前,就可以使用预测性、严谨的模型来创建和评估OPC选项。
此外,严格的模型可用于整合传统紧凑模型无法捕捉到的效应,例如植入层的晶片形貌(图4,右)。在CMOS图像传感器或显示器的制造中成功地部署了局部、严格的校正,显著提高了CD的均匀性
闪电小编说明:
S-Litho提供了一套全面的功能来预测光刻过程的结果。基于物理场的模型可实现高仿真精度。作为一种计算光刻工具,S-Litho通过消除实验来加速工艺开发并降低成本,加速工艺开发和产量提升!
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